El Samsung PM9A1 M.2 NVMe PCIe SSD de un vistazo:
- SSD PCIe NVMe M.2 moderno con capacidad de 512 GB
- Lectura/escritura extremadamente rápida de 6900/5000 MB/s
- Total 800 000/800 000 IOPS Lectura/escritura aleatoria de 4 KB
- Controlador Samsung Elpis y Samsung 3D NAND TLC
- Vida útil (MTBF): 1,5 millones de horas
Formato M.2 con conexión rápida PCIe 4.0
El controlador Samsung Elpis S4LV003 admite cuatro carriles PCI Express 4.0 estándar, que permiten una lectura máxima teórica de alrededor de 8000 MB/s. Junto con el Samsung 3D-NAND TLC instalado, esta versión de 512 GB del Samsung PM9A1 alcanza 6900 MB/s de lectura y 5000 MB/s de escritura , así como valores de IOPS de 800 000 en 4 KB de lectura y 800 000 en 4 KB de escritura . El moderno chip controlador también garantiza menos calor residual y, por lo tanto, evita el estrangulamiento del rendimiento debido a temperaturas excesivas.
TLC 3D NAND de alta eficiencia
Con 3D-NAND TLC (o simplemente V-NAND v6) del Samsung PM9A1 , las celdas de memoria se apilan en 136 capas. Por un lado, esto permite mayores cantidades de memoria con mayores velocidades de lectura y escritura con un área más pequeña de los bloques de memoria, por otro lado, se aumenta la vida útil de la memoria y se mejora la eficiencia energética .
Protocolo NVM Express
Además, el Samsung PM9A1 también es compatible con el protocolo NVM 1.3c Express (NVMe para abreviar), que se desarrolló especialmente para los SSD PCI Express modernos . Esto reemplaza el antiguo protocolo AHCI, que se remonta a antes de la difusión general de los SSD y no está optimizado para el acceso a medios de datos altamente paralelizados. Por lo tanto, NVMe garantiza latencias significativamente más bajas, así como colas de comandos múltiples y más profundas, lo que se traduce en un rendimiento significativamente mejor para transferencias no lineales, como lectura/escritura 4K.
Detalles técnicos:
- Dimensiones: 22 x 2,38 x 80 mm (ancho x alto x profundidad)
- Formato e interfaz: M.2/M-Key 2280 (PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c)
- Capacidad: 512GB
- Controlador: Samsung Elpis (S4LV003)
- NAND: 3D NAND TLC, Samsung, 136 capas (V-NAND v6)
- Rendimiento (PCIe 4.0):
Lectura: Máx. 6900 MB/s
Escritura: Máx. 5000 MB/s
IOPS (lectura aleatoria de 4 KB): 800 000
IOPS (escritura aleatoria de 4 KB): 800 000 - Consumo de energía (inactivo / funcionamiento): 0,035 / kA W
- Esperanza de vida media: 1,5 millones de horas (MTBF)
- Características: AES de 256 bits, TCG Opal 2.0, NVMe 1.3c, 3D-NAND TLC, Samsung, 136 capas (V-NAND v6)
- Garantía del fabricante: 3 años
- Discos Duros Fabricantes
- Samsung
- Discos Duros Tipo
- M.2 PCI-E
- Discos Duros Capacidad
- 512 GB